| Numéro d'article | SID1182K |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| La technologie | Magnetic Coupling |
| Nombre de canaux | 1 |
| Voltage - Isolation | 5000Vrms |
| Immunité transitoire en mode commun (min) | - |
| Délai de propagation tpLH / tpHL (Max) | 340ns, 330ns |
| Distorsion de largeur d'impulsion (Max) | - |
| Rise / Fall Time (Typ) | 90ns, 81ns |
| Courant - Sortie haute, basse | 3.6A, 4A |
| Courant - Sortie de crête | 8A |
| Tension - Avant (Vf) (Typ) | - |
| Courant - DC Forward (If) (Max) | - |
| Tension - Alimentation | 4.75 V ~ 5.25 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width) 15 Leads |
| Package de périphérique fournisseur | eSOP-R16B |
| Approbations | - |
Fabricant: Power Integrations
La description: OPTOISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B
En stock: 0
Fabricant: Power Integrations
La description: OPTOISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B
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Fabricant: Power Integrations
La description: OPTOISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER
En stock: 0
Fabricant: Infineon Technologies
La description: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER
En stock: 0
Fabricant: Infineon Technologies
La description: DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER
En stock: 0