Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli NVMFS5830NLT3G

ON Semiconductor NVMFS5830NLT3G

Numero di parte
NVMFS5830NLT3G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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In stock 20589 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

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    0.61998/pcs

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    0.44995/pcs
Totale:0.61998/pcsUnit Price:
0.61998/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteNVMFS5830NLT3G
Stato parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C29A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs113nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5880pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)3.8W (Ta), 158W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.3 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / caso8-PowerTDFN
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