Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli NVMFS4C01NT1G

ON Semiconductor NVMFS4C01NT1G

Numero di parte
NVMFS4C01NT1G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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In stock 20409 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    0.63752/pcs

  • 1,500 pcs

    0.45537/pcs
Totale:0.63752/pcsUnit Price:
0.63752/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteNVMFS4C01NT1G
Stato parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C49A (Ta), 319A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs139nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds10144pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)3.84W (Ta), 161W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs0.9 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / caso8-PowerTDFN
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