Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln NVMFS5830NLT3G

ON Semiconductor NVMFS5830NLT3G

Artikelnummer
NVMFS5830NLT3G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerNVMFS5830NLT3G
TeilstatusActive
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C29A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs113nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5880pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)3.8W (Ta), 158W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs2.3 mOhm @ 20A, 10V
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Lieferantengerätepaket5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Fall8-PowerTDFN
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