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| Numero di parte | NTGD3147FT1G |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.2A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -25°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
| Pacchetto / caso | SOT-23-6 |
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N/P-CH 8V 3.3A 6-TSOP
Disponibile: 9000
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
Disponibile: 60000
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
Disponibile: 0
