Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli NTGD4169FT1G

ON Semiconductor NTGD4169FT1G

Numero di parte
NTGD4169FT1G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Parametro del prodotto
Numero di parte NTGD4169FT1G
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 295pF @ 15V
Vgs (massimo) ±12V
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max) 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 2.6A, 4.5V
temperatura di esercizio -25°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP
Pacchetto / caso SOT-23-6
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