Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array NTGD3133PT1G

ON Semiconductor NTGD3133PT1G

Numero di parte
NTGD3133PT1G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Parametro del prodotto
Numero di parte NTGD3133PT1G
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 10V
Potenza - Max 560mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP
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