Numero di parte | APTGT50TL601G |
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Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Level Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 80A |
Potenza - Max | 176W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 250µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 3.15nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SP1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOD IGBT 1200V 140A SP2
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOD IGBT 1200V 140A SP3
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOD IGBT 600V 150A SP2
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT PHASE LEG 600V 150A SP1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: POWER MOD IGBT3 BOOST BUCK SP3
Disponibile: 7