Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Module APTGT50TL601G

Microsemi Corporation APTGT50TL601G

Artikelnummer
APTGT50TL601G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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    (In US-Dollar)
  • 1 pcs

    27.69500/pcs
  • 10 pcs

    26.06450/pcs
  • 25 pcs

    24.43540/pcs
  • 100 pcs

    23.29515/pcs
Gesamt:27.69500/pcsUnit Price:
27.69500/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerAPTGT50TL601G
TeilstatusActive
IGBT-TypTrench Field Stop
AufbauThree Level Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)80A
Leistung max176W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 50A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce3.15nF @ 25V
EingangStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartChassis Mount
Paket / FallSP1
LieferantengerätepaketSP1
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