Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Moduli APT75GP120JDQ3

Microsemi Corporation APT75GP120JDQ3

Numero di parte
APT75GP120JDQ3
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
IGBT 1200V 128A 543W SOT227
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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In stock 1527 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    22.31500/pcs

  • 10 pcs

    20.86650/pcs

  • 25 pcs

    19.29840/pcs

  • 100 pcs

    18.09225/pcs

  • 250 pcs

    16.88610/pcs
Totale:22.31500/pcsUnit Price:
22.31500/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteAPT75GP120JDQ3
Stato parteActive
Tipo IGBTPT
ConfigurazioneSingle
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)128A
Potenza - Max543W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.9V @ 15V, 75A
Corrente - Limite del collettore (max)1.25mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce7.04nF @ 25V
IngressoStandard
Termistore NTCNo
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / casoISOTOP
Pacchetto dispositivo fornitoreISOTOP®
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