| Artikelnummer | APT75GP120JDQ3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | PT |
| Aufbau | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 128A |
| Leistung max | 543W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 75A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 1.25mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 7.04nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | ISOTOP |
| Lieferantengerätepaket | ISOTOP® |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOD DIODE 1700V SOT-227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOD DIODE 1200V SOT-227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 75A TO247
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 75A TO-247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 200A 833W TMAX
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 124A 379W SOT227
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