| Artikelnummer | APT75DF170HJ |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Single Phase |
| Technologie | Standard |
| Spannung - Spitzenrücklauf (Max) | 1700V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 75A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2.2V @ 75A |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 250µA @ 1700V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 160A 961W TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
Auf Lager: 16
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 160A 961W TO264
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 650V 134A 595W TO-247
Auf Lager: 52
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOSFET - SIC
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOSFET - SIC
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