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| Artikelnummer | APT70SM70B |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 700V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 65A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 300W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 32.5A, 20V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 160A 961W TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 160A 961W TO264
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 650V 134A 595W TO-247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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Hersteller: Microsemi Corporation
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOSFET - SIC
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOSFET - SIC
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Hersteller: Microsemi Corporation
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