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| Número da peça | APT70SM70B |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 700V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 65A (Tc) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 20V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 32.5A, 20V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-247 [B] |
| Pacote / Caso | TO-247-3 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 160A 961W TO247
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
Em estoque: 16
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 160A 961W TO264
Em estoque: 45
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 650V 134A 595W TO-247
Em estoque: 52
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: POWER MOSFET - SIC
Em estoque: 0
