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| Numero di parte | APT75GN120LG |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 225A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
| Potenza - Max | 833W |
| Cambiare energia | 8620µJ (on), 11400µJ (off) |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 425nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 60ns/620ns |
| Condizione di test | 800V, 75A, 1 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264 [L] |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 1200V 160A 961W TO247
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
Disponibile: 16
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 1200V 160A 961W TO264
Disponibile: 45
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 650V 134A 595W TO-247
Disponibile: 52
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: POWER MOSFET - SIC
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: POWER MOSFET - SIC
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: POWER MOSFET - SIC
Disponibile: 0
