Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Singoli APT70GR120B2

Microsemi Corporation APT70GR120B2

Numero di parte
APT70GR120B2
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
IGBT 1200V 160A 961W TO247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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In stock 2166 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    6.26108/pcs

  • 40 pcs

    6.26112/pcs
Totale:6.26108/pcsUnit Price:
6.26108/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteAPT70GR120B2
Stato parteActive
Tipo IGBTNPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)160A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)280A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 70A
Potenza - Max961W
Cambiare energia3.82mJ (on), 2.58mJ (off)
Tipo di inputStandard
Carica del cancello544nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C33ns/278ns
Condizione di test600V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247
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