Numéro d'article | APT75GN120LG |
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État de la pièce | Active |
Type d'IGBT | Trench Field Stop |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 200A |
Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 225A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
Puissance - Max | 833W |
Échange d'énergie | 8620µJ (on), 11400µJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de porte | 425nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 60ns/620ns |
Condition de test | 800V, 75A, 1 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | TO-264-3, TO-264AA |
Package de périphérique fournisseur | TO-264 [L] |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 160A 961W TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 160A 961W TO264
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 650V 134A 595W TO-247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MOSFET - SIC
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MOSFET - SIC
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MOSFET - SIC
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