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| Numéro d'article | APT70GR120JD60 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | NPT |
| Configuration | Single |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 112A |
| Puissance - Max | 543W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 70A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 1.1mA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 7.26nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | No |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | SOT-227-4 |
| Package de périphérique fournisseur | SOT-227 |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 160A 961W TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
En stock: 16
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 160A 961W TO264
En stock: 45
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 650V 134A 595W TO-247
En stock: 52
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MOSFET - SIC
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MOSFET - SIC
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MOSFET - SIC
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