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| Numero di parte | APT30GF60JU2 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo IGBT | NPT |
| Configurazione | Single |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 58A |
| Potenza - Max | 192W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 30A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 40µA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 1.85nF @ 25V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | No |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | ISOTOP |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247
Disponibile: 31
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247
Disponibile: 564
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
Disponibile: 17
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247
Disponibile: 2903
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
Disponibile: 125
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247
Disponibile: 77
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247
Disponibile: 3
