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| Artikelnummer | APT30GF60JU2 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| IGBT-Typ | NPT |
| Aufbau | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 58A |
| Leistung max | 192W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 30A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 40µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 1.85nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | ISOTOP |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247
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