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| Numero di parte | APT26M100JCU3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 26A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 305nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7868pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 543W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 396 mOhm @ 18A, 10V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
| Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264
Disponibile: 6
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
Disponibile: 0
