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| Artikelnummer | APT26M100JCU3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1000V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 26A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 305nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7868pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 543W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 396 mOhm @ 18A, 10V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264
Auf Lager: 6
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
Auf Lager: 0
