provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | APT26M100JCU3 |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| FET-tyyppi | N-Channel |
| tekniikka | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tyhjennä lähdejännite (Vdss) | 1000V |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 26A (Tc) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 305nC @ 10V |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 7868pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-ominaisuus | - |
| Tehonsyöttö (maksimi) | 543W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 396 mOhm @ 18A, 10V |
| Käyttölämpötila | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Chassis Mount |
| Toimittajan laitepaketti | SOT-227 |
| Pakkaus / kotelo | SOT-227-4, miniBLOC |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264
Varastossa: 6
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
Varastossa: 0
