Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Singoli APT25GR120B

Microsemi Corporation APT25GR120B

Numero di parte
APT25GR120B
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
IGBT 1200V 75A 521W TO247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

In stock 712 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    3.51000/pcs

  • 10 pcs

    3.15700/pcs

  • 25 pcs

    2.87620/pcs

  • 100 pcs

    2.59555/pcs

  • 250 pcs

    2.38512/pcs

  • 500 pcs

    2.17467/pcs

  • 1,000 pcs

    1.89407/pcs
Totale:3.51000/pcs Unit Price:
3.51000/pcs		 Etichetta del prezzo:
 Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte APT25GR120B
Stato parte Active
Tipo IGBT NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 75A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 25A
Potenza - Max 521W
Cambiare energia 742µJ (on), 427µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 203nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 16ns/122ns
Condizione di test 600V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247
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