Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Singoli APT25GP120BDQ1G

Microsemi Corporation APT25GP120BDQ1G

Numero di parte
APT25GP120BDQ1G
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
IGBT 1200V 69A 417W TO247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

In stock 710 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    6.84500/pcs

  • 10 pcs

    6.22250/pcs

  • 25 pcs

    5.75580/pcs

  • 100 pcs

    5.28915/pcs

  • 250 pcs

    4.82244/pcs

  • 500 pcs

    4.51132/pcs
Totale:6.84500/pcs Unit Price:
6.84500/pcs		 Etichetta del prezzo:
 Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte APT25GP120BDQ1G
Stato parte Active
Tipo IGBT PT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 69A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 25A
Potenza - Max 417W
Cambiare energia 500µJ (on), 440µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 110nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 12ns/70ns
Condizione di test 600V, 25A, 5 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 [B]
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