Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF 0912-45

Microsemi Corporation 0912-45

Numero di parte
0912-45
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
TRANS RF BIPO 225W 4.5A 55CT1
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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78.20800/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte0912-45
Stato parteActive
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60V
Frequenza - Transizione960MHz ~ 1.215GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno8dB ~ 9dB
Potenza - Max225W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce10 @ 300mA, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max)4.5A
temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / caso55CT
Pacchetto dispositivo fornitore55CT
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