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| Numero di parte | IRLL024NPBF |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.1A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.6nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±16V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3.1A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
| Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Disponibile: 15000
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Disponibile: 7500
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Disponibile: 1122
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Disponibile: 80000
