Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli IRLL024NTRPBF

Infineon Technologies IRLL024NTRPBF

Numero di parte
IRLL024NTRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte IRLL024NTRPBF
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.6nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 25V
Vgs (massimo) ±16V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 3.1A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA
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