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| Artikelnummer | IRLL024NPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Not For New Designs |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 55V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.1A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15.6nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-223 |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Auf Lager: 15000
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Auf Lager: 7500
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Auf Lager: 1122
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Auf Lager: 80000
