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| Numero di parte | FDMC5614P |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.7A (Ta), 13.5A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1055pF @ 30V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 5.7A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-MLP (3.3x3.3), Power33 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5
Disponibile: 0
