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| Numéro d'article | FDMC5614P |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 60V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 5.7A (Ta), 13.5A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1055pF @ 30V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 5.7A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 8-MLP (3.3x3.3), Power33 |
| Paquet / cas | 8-PowerWDFN |
Fabricant: IXYS
La description: MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5
En stock: 0
Fabricant: IXYS
La description: MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5
En stock: 0
