Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli FDM100-0045SP

IXYS FDM100-0045SP

Numero di parte
FDM100-0045SP
fabbricante
IXYS
Descrizione
MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
IXYS

IXYS

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Numero di parte FDM100-0045SP
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2 mOhm @ 80A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore ISOPLUS i4-PAC™
Pacchetto / caso i4-Pac™-5
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fabbricante: IXYS

Descrizione: MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5

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