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| Numero di parte | ZXMP6A17E6QTA |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.7nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 637pF @ 30V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 2.3A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-26 |
| Pacchetto / caso | SOT-23-6 |
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3
Disponibile: 9000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3
Disponibile: 48000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT223
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Disponibile: 24000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
Disponibile: 500
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
Disponibile: 3500
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
Disponibile: 17500
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET P-CH 60V DPAK
Disponibile: 5000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC
Disponibile: 4500
