Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array ZXMP6A17DN8TA

Diodes Incorporated ZXMP6A17DN8TA

Numero di parte
ZXMP6A17DN8TA
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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0.33758/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteZXMP6A17DN8TA
Stato parteActive
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs125 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds637pF @ 30V
Potenza - Max1.81W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP
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