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| Artikelnummer | ZXMP6A17E6QTA |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17.7nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 637pF @ 30V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 2.3A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-26 |
| Paket / Fall | SOT-23-6 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3
Auf Lager: 9000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3
Auf Lager: 48000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT223
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Auf Lager: 24000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
Auf Lager: 500
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
Auf Lager: 3500
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
Auf Lager: 17500
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 60V DPAK
Auf Lager: 5000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC
Auf Lager: 4500
