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| Numero di parte | DMTH6016LSD-13 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.6A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.5 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 864pF @ 30V |
| Potenza - Max | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 60V 100A TO220-3
Disponibile: 20
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH
Disponibile: 14400
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 100A TO263
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK
Disponibile: 10000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET NCH 60V 100A TO252
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB
Disponibile: 0
