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| Artikelnummer | DMTH6016LSD-13 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | - |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 7.6A (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 19.5 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 864pF @ 30V |
| Leistung max | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 60V 100A TO220-3
Auf Lager: 20
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH
Auf Lager: 14400
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A TO263
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK
Auf Lager: 10000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 60V 100A TO252
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB
Auf Lager: 0
