Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli DMNH6008SPS-13

Diodes Incorporated DMNH6008SPS-13

Numero di parte
DMNH6008SPS-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 16.5A POWERDI
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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In stock 35220 pz
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0.36225/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteDMNH6008SPS-13
Stato parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C16.5A (Ta), 88A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40.1nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2597pF @ 30V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)3.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePowerDI5060-8
Pacchetto / caso8-PowerTDFN
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