Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli DMNH6012LK3-13

Diodes Incorporated DMNH6012LK3-13

Numero di parte
DMNH6012LK3-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET NCH 60V 60A TO252
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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In stock 47663 pz
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Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte DMNH6012LK3-13
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1926pF @ 30V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-252-4L
Pacchetto / caso TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
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