| Artikelnummer | DMNH6008SPS-13 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 16.5A (Ta), 88A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 40.1nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2597pF @ 30V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 3.3W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 20A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerDI5060-8 |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 60V 130A TO220AB
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Hersteller: Diodes Incorporated
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 16.5A POWERDI
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 60V 16.5A POWERDI
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 60V 60A TO252
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 60V 80A TO252
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 50A POWERDI
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 60V 50A POWERDI
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 60V 50A TO252
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