Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln DMNH6008SPS-13

Diodes Incorporated DMNH6008SPS-13

Artikelnummer
DMNH6008SPS-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 16.5A POWERDI
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerDMNH6008SPS-13
TeilstatusActive
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C16.5A (Ta), 88A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs40.1nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2597pF @ 30V
Vgs (Max)±20V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)3.3W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs8 mOhm @ 20A, 10V
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketPowerDI5060-8
Paket / Fall8-PowerTDFN
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