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| Numero di parte | CTLDM3590 TR |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 160mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.2V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.46nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | 8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 125mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TLM3D6D8 |
| Pacchetto / caso | 3-XFDFN |
fabbricante: Central Semiconductor Corp
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 1A
Disponibile: 3000
fabbricante: Central Semiconductor Corp
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 0.16A TLM3D6D8
Disponibile: 0
fabbricante: Central Semiconductor Corp
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 0.14A TLM3D6D8
Disponibile: 0
fabbricante: Central Semiconductor Corp
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 1A
Disponibile: 3000
fabbricante: Central Semiconductor Corp
Descrizione: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS
Disponibile: 0
fabbricante: Central Semiconductor Corp
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS
Disponibile: 0
