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| Numero di parte | CTLDM7120-M621H TR |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | 8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TLM621H |
| Pacchetto / caso | 6-XFDFN Exposed Pad |
fabbricante: Central Semiconductor Corp
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 1A
Disponibile: 3000
fabbricante: Central Semiconductor Corp
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 1A
Disponibile: 3000
fabbricante: Central Semiconductor Corp
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 0.14A TLM3D6D8
Disponibile: 0
