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| Numero de parte | CTLDM7120-M621H TR |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 10V |
| Vgs (Max) | 8V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TLM621H |
| Paquete / caja | 6-XFDFN Exposed Pad |
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descripción: MOSFET N-CH 20V 1A
En stock: 3000
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 1A
En stock: 3000
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descripción: MOSFET P-CH 20V 0.14A TLM3D6D8
En stock: 0
