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| Artikelnummer | CTLDM3590 TR |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 160mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.2V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.46nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9pF @ 15V |
| Vgs (Max) | 8V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 125mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TLM3D6D8 |
| Paket / Fall | 3-XFDFN |
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1A
Auf Lager: 3000
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.16A TLM3D6D8
Auf Lager: 0
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.14A TLM3D6D8
Auf Lager: 0
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 1A
Auf Lager: 3000
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS
Auf Lager: 0
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS
Auf Lager: 0
