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| Numero di parte | TP5335K1-G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 350V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 85mA (Tj) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 Ohm @ 200mA, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB (SOT23) |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
fabbricante: Microchip Technology
Descrizione: MOSFET P-CH 220V 0.12A SOT23-3
Disponibile: 0
fabbricante: Microchip Technology
Descrizione: MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3
Disponibile: 0
fabbricante: Microchip Technology
Descrizione: MOSFET P-CH 350V 0.085A SOT23-3
Disponibile: 0
