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| Numéro d'article | TP5335K1-G |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 350V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 85mA (Tj) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 Ohm @ 200mA, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | TO-236AB (SOT23) |
| Paquet / cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Fabricant: Microchip Technology
La description: MOSFET P-CH 220V 0.12A SOT23-3
En stock: 0
Fabricant: Microchip Technology
La description: MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3
En stock: 0
Fabricant: Microchip Technology
La description: MOSFET P-CH 350V 0.085A SOT23-3
En stock: 0
