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| Artikelnummer | TP5335K1-G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 350V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 85mA (Tj) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 30 Ohm @ 200mA, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-236AB (SOT23) |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller: Microchip Technology
Beschreibung: MOSFET P-CH 220V 0.12A SOT23-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Microchip Technology
Beschreibung: MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Microchip Technology
Beschreibung: MOSFET P-CH 350V 0.085A SOT23-3
Auf Lager: 0
