Toshiba Semiconductor and Storage TK10P60W,RVQ

Numéro d'article: TK10P60W,RVQ
Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - FET, MOSFET - Simples

Toshiba Semiconductor and Storage

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Paramètre du produit

Numéro d'article	TK10P60W,RVQ
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	9.7A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 300V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	Super Junction
Dissipation de puissance (Max)	80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	430 mOhm @ 4.9A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	DPAK
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63