Toshiba Semiconductor and Storage TK100L60W,VQ

Numéro d'article: TK100L60W,VQ
Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - FET, MOSFET - Simples

Toshiba Semiconductor and Storage

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En Stock $ Quantité pcs

Prix de référence
(En dollars américains)
1 pcs
17.16000/pcs
10 pcs
15.87300/pcs
100 pcs
13.55640/pcs

Total:17.16000/pcs

Unit Price:

17.16000/pcs

Prix cible:

Quantité:

Paramètre du produit

Numéro d'article	TK100L60W,VQ
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	100A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	360nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	15000pF @ 30V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	Super Junction
Dissipation de puissance (Max)	797W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 50A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-3P(L)
Paquet / cas	TO-3PL