STMicroelectronics STGWT80H65DFB

Numéro d'article: STGWT80H65DFB
Fabricant: STMicroelectronics
La description: IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - IGBT - Simples

STMicroelectronics

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En Stock $ Quantité pcs

Prix de référence
(En dollars américains)
1 pcs
3.75000/pcs
10 pcs
3.38650/pcs
100 pcs
2.80350/pcs
500 pcs
2.44125/pcs
1,000 pcs
2.12625/pcs

Total:3.75000/pcs

Unit Price:

3.75000/pcs

Prix cible:

Quantité:

Paramètre du produit

Numéro d'article	STGWT80H65DFB
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	120A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)	240A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 80A
Puissance - Max	469W
Échange d'énergie	2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Type d'entrée	Standard
Charge de porte	414nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	84ns/280ns
Condition de test	400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	85ns
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	TO-3P-3, SC-65-3
Package de périphérique fournisseur	TO-3P